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  • 單面光刻機

    單面光刻機主要技術指標
    1、適用于4″、3″、2″基片,基片厚度≤1.5mm 。
    2、具有相對應的版夾盤,□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
    3、調密著真空度,能實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
    4、采用鷹眼曝光頭,光的不均勻性≤±3%,曝光時間0~9999.9秒可調。
    5、具有預定位靠尺:利用基片切邊進行定位,定位精度≤1微米 。
    6、具有雙工作承片臺,利用曝光時間,進行卸片、上片工作。

    G-27型單面光刻機

    G-27型單面光刻機

    主要用途
    主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。
    由于本機找平機構先進,找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。
    主要構成
    主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場顯微鏡(或CCD顯微顯示系統)、多點光源(蠅眼)曝光頭、PLC電控系統、氣動系統、真空管路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。
    主要功能特點
    1.適用范圍廣
    適用于Φ153mm以下,厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
    2.分辨率高
    采用高均勻性的多點光源(蠅眼)曝光頭,非常理想的三點式自動找平機構和穩定可靠的真空密著裝置,使本機的曝光分辨率大為提高。
    3.套刻精度高、速度快
    采用版不動片動的下置式三層導軌對準方式,使導軌自重和受力方向保持一致,自動消除間隙;承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構,使本機片對版在分離接觸時漂移特小,對準精度高,對準速度快,從而提高了版的復用率和產品的成品率。
    4.可靠性高
    采用PLC控制器、進口電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件,使本機具有非常高的可靠性且操作、維護、維修簡便。
    5.特設“碎片”處理功能
    解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。
    主要技術指標
    ◆曝光類型:單面
    ◆曝光面積:≥φ170mm
    ◆曝光照度不均勻性:≤±6%
    ◆曝光強度:≥5mw/cm2(365nm、404nm、435nm的組合紫外光)
    ◆曝光分辨率:≤2μm
    ◆曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光;
    ◆掃描范圍:X:±40mm Y:±30mm
    ◆對準范圍:X、Y粗調±3mm,細調±0.3mm; Q粗調±15°細調±3°
    ◆套刻精度:≤1μm
    ◆分離量;0~50μm可調
    ◆接觸-分離漂移:≤1μm
    ◆曝光方式:密著曝光,可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光
    ◆找平機構:三點式自動找平
    ◆顯微系統:雙視場CCD系統,顯微鏡60X~400X連續變倍(物鏡1.5X~10X連續
    變倍),雙物鏡距離可調范圍:45mm~150mm,計算機圖像處理系統,19″液晶監
    視器;
    ◆掩模版尺寸:5”×5”、6”×6”、7”×7”
    ◆基片尺寸:Φ4”、Φ5”、Φ6”
    ◆基片厚度:≤5 mm
    ◆曝光燈功率:直流350W
    ◆曝光定時:0~999.9秒可調
    ◆對準方式:切斯曼對準機構
    ◆曝光頭轉位:氣動
    ◆電源:單相AC220V 50Hz 功耗≤1kW
    ◆潔凈空氣壓力:≥0.4MPa
    ◆真空度:-0.07MPa~-0.09MPa
    ◆尺寸: 920×680×1600(L×W×H)mm
    ◆重量:~170kg

    G-43型簡易光刻機

    、

    主要用途:
        對晶片、陶瓷片、玻璃片(圓片或方片)的一次性曝光,特別適用于聲表面波器件、光柵、分劃板、可控硅等的曝光,二極管、三極管、分立元件的第一次光刻。
    工作方式:
        本機具有二個承片臺,一個承片臺在曝光時,另一個承片臺進行卸片和上片工作。當上一片曝光完后,曝光完了的承片臺下降,轉動雙位承片臺后,已曝光的承片臺轉出,進行卸片和上片;裝好片的承片臺上升,自動頂緊,自動找平,并進行真空密著,然后打開快門進行曝光,上片時,利用基片切邊進行預定位。
    主要技術指標:
    1、適用于4″、3″、2″基片,基片厚度≤1.5mm 。
    2、具有相對應的版夾盤,□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
    3、調密著真空度,能實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
    4、采用多點光源曝光頭,光的不均勻性≤±6%,曝光時間0~9999.9秒可調。
    5、具有預定位靠尺:利用基片切邊進行定位,定位精度≤0.1mm 。
    6、具有雙工作承片臺,利用曝光時間,進行卸片、上片工作。
    主要特點:

    簡單、可靠、高效,特別適用于大批量生產。

     G-25型單面光刻機

     G-25型單面光刻機

    主要用途
    主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。
    由于本機找平機構先進,找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光
    主要構成
        主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統、多點光源(蠅眼)曝光頭、PLC電控系統、氣動系統、真空管路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。
    主要功能特點
    1.適用范圍廣
        適用于Φ100mm以下(最小尺寸為Φ5mm),厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
    2.分辨率高
        采用高均勻性的多點光源(蠅眼)曝光頭,非常理想的三點式自動找平機構和穩定可靠的真空密著裝置,使本機的曝光分辨率大為提高。
    3.套刻精度高、速度快
        采用版不動片動的下置式三層導軌對準方式,使導軌自重和受力方向保持一致,自動消除間隙;承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構,使本機片對版在分離接觸時漂移特小,對準精度高,對準速度快,從而提高了版的復用率和產品的成品率。
    4.可靠性高
        采用PLC控制器、進口電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件,使本機具有非常高的可靠性且操作、維護、檢修簡便。
    5.特設“碎片”處理功能
    解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。主要技術指標
    曝光類型:單面
    曝光面積:≥φ115mm
    曝光不均勻性:≤±3%
    曝光強度:≥20mw/cm2
    曝光分辨率:1μm
    曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光模式
    掃描范圍:X:±40mm   Y:±35mm
    對準范圍:X、Y粗調±3mm、細調±0.3mm Q粗調±15°、細調±3°
    對準精度:1μm
    分離量:0~50μm可調
    接觸-分離漂移:≤1μm
    密著曝光方式:密著曝光可實現硬接觸、 軟接觸和微力接觸曝光;
    找平機構:三點式自動找平;
    顯微系統:雙視場CCD系統,顯微鏡45X~ 300X連續變倍(物鏡1.125X~7.5X),雙 物鏡距離可調范圍:11mm~100 mm,計算機圖像處理系統,19″液晶監視器;
    掩模版尺寸:2.5″×2.5″(或3″×3″) 4″×4″、5″×5″
    基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″
    基片厚度:≤5 mm
    曝光燈功率:直流350W
    曝光定時:0~999.9秒可調
    對準方式:切斯曼對準機構
    曝光頭轉位:氣動
    電源:單相AC220V 50Hz 功耗≤1kW
    潔凈空氣壓力:≥0.4Mpa
    真空度:-0.07MPa~-0.09Mpa
    尺寸: 920×680×1600(L×W×H)mm;
    重量:~170kg

     G-25A型單面光刻機

    G-25A型單面光刻機

    主要用途
        主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產。
    主要構成
        主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統、曝 光頭、氣動系統、真空管路系統、直聯式真空泵、防震工作臺和附件箱等組成。
    主要功能特點
    1.適用范圍廣
    適用于Φ100mm以下,厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
    2.結構先進
    具有氣浮式找平機構和可實現真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構;具有真空掩膜版架、真空片吸盤。
    3.操作簡便
    采用翻板方式取片、放片;按鈕、按鍵方式操作,可實現真空 吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能,操作、調試、維護、修理 都非常簡便。
    4.可靠性高
    采用進口電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣動系統、真空管路系統和精密的機械零件,使本機具有非常高的可靠性。
    5.特設“碎片”處理功能
    解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。
    主要技術指標
    曝光類型:單面
    曝光面積:≥φ120mm
    光束不平行度:≤6°
    曝光不均勻性:≤±5%
    曝光強度:≥5mw/cm2
    曝光分辨率:≤1.5μm
    曝光模式:套刻曝光
    對準精度:1μm
    掃描范圍:X:±40mm   Y:±35mm
    對準范圍:X、Y調節±4mm,旋轉調節90°
    最大升降:8mm
    密著曝光方式:密著曝光可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
    顯微系統:雙視場CCD系統;放大倍數5X~
    300X連續可調(物鏡1.1~7.5倍連續可調);雙 物鏡距離可調范圍11mm~100 mm;計算機圖像處理系統;
    掩模版尺寸:2.5″×2.5″、4″×4″、
                  5″×5″
    基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″
    基片厚度:≤5 mm
    曝光燈功率:直流200W
    曝光定時:0~999.9秒可調
    電源:AC220V 50Hz 1kW
    空氣:P≥0.1MPa,耗氣量0.2m3/小時;
    真空度:-0.07MPa~-0.09MPa
    外形尺寸:918×680×1450(L×W×H)mm
    重量:~160kg

    G-25X型單面光刻機

    G-25X型單面光刻機

    主要用途
    主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、聲表面波器件的研制和生產。
    由于本機找平機構先進,找平力小、使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。
    主要構成
    主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場CCD顯微顯示系統、蠅眼曝光頭、PLC電控系統、氣動系統、真空管路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。
    主要功能特點

    1.適用范圍廣
        適用于Φ100mm以下(最小尺寸為Φ5mm),厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
    2.分辨率高
        采用高均勻性的蠅眼曝光頭,非常理想的微調系統機構和穩定可靠的真空密著裝置,使本機的曝光分辨率大為提高。
    3.套刻精度高、速度快
        采用版不動片動的下置式三層導軌對準方式,使導軌自重和受力方向保持一致,自動消除間隙;承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構,使本機片對版在分離接觸時漂移特小,對準精度高,對準速度快,從而提高了版的復用率和產品的成品率。
    4.可靠性高
        采用PLC控制器、進口電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件,使本機具有非常高的可靠性且操作、維護、檢修簡便。
    5.特設“碎片”處理功能
        解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題
    主要技術指標
    曝光類型:單面
    曝光面積:≥Φ115mm
    曝光不均勻性:≤±3%
    曝光強度:≥20mw/cm2
    曝光分辨率:1μm
    曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光模式
    掃描范圍:X:±40mm   Y:±35mm
    對準范圍:X、Y粗調±3mm、細調±0.3mm Q粗調±15°、細調±3°
    對準精度:1μm
    分離量:0~50μm可調
    接觸-分離漂移:≤1μm
    密著曝光方式:密著曝光可實現硬接觸、 軟接觸和微力接觸曝光;
    找平機構:三點式自動找平;
    顯微系統:雙視場CCD系統,顯微鏡45X~ 300X連續變倍(物鏡1.125X~7.5X),雙 物鏡距離可調范圍:11mm~100 mm,計算機圖像處理系統,19″液晶監視器;
    掩模版尺寸:2.5″×2.5″(或3″×3″) 4″×4″、5″×5″
    基片尺寸:Φ2″、Φ3″、Φ4″
    基片厚度:≤5 mm
    曝光燈功率:直流350W
    曝光定時:0~999.9秒可調
    對準方式:高精度微調對準機構
    曝光頭轉位:氣動
    電源:單相AC220V 50Hz 功耗≤1kW
    潔凈空氣壓力:≥0.4Mpa
    真空度:-0.07MPa~-0.09Mpa
    尺寸: 920×680×1600(L×W×H)mm;
    重量:~180kg

     

     

    光刻機系列產品:雙面光刻機
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